3，脈沖偏壓

產生震動等離子體。在減小脈沖占空比的同時，進步脈沖電源的強度可使等離子體的密度和溫度增大和增高。對所有類型的基片（導電&不導電）轟擊結果加強。使得二次電子的生存時間增長，增大了碰撞機率，從而增長等離子體密度。調節脈沖頻率和占空比可控制沉積速率。調節脈沖頻率和占空比可控制溫升，可在低溫下成膜，避免擊損基片原有組織。對于多弧，因為沉積速率過快，不適合進行電子器件等細密工件的膜層沉積。引入脈沖偏壓可有用的改善。

在沒有帶電粒子參與的鍍膜過程（如簡單的蒸鍍等），可以選用零偏壓/懸浮偏壓。

耐受溫度較低的工件（如塑料件等）鍍膜時，為了防止工件變形，可以選用零偏壓/懸浮偏壓或選用小占空比低幅值偏置電壓。

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