1.標準環境條件 standard ambient condition： 溫度為20

℃，相對濕度為65%，大氣壓力為101325Pa=1013.25mbar=760Torr。

2.氣體的標準狀況 standard reference conditions for gases：溫度為0℃，壓力為：101325Pa。

3.壓力（壓強）p pressure：氣體分子從某一假想平面通過時，沿該平面的正法線方向的動量改變率，除以該平面面積或氣體分子作用于其容器壁外觀上的力的法向分量，除以該外觀面積。注：“壓力”這一術語只適用于氣體處于靜止狀況的壓力或穩固流動時的靜態壓力。

4.帕斯卡Pa pascal：國際單位制壓力單位，1Pa=1N/m2。

5.托Torr torr：壓力單位，1Torr=1/760atm。

6.標準大氣壓atm standard atmosphere：壓力單位，1atm=101325Pa。

7.毫巴mbar millibar：壓力單位，1mbar=102Pa。

8.分壓力 partial pressure：混合氣體中某一組分的壓力。

9.全壓力 total pressure：混合氣體中所有組分壓力的總和。

10.真空 vacuum：在指定空間內，低于環境大氣壓力的氣體狀況。

11.真空度 degree of vacuum：透露表現真空狀況下氣體的淡薄程度，通常用壓力值來透露表現。

12.真空區域 ranges of vacuum：真空區域大致劃分如下：
真空區域          壓     力
                  Pa         Torr
低真 空       10⁵～10²       760～1
中真 空       10²～10^-1     1～10^-3
高真 空       10^-1～10^-5     10^-3～10^-7
超高真空       <10^-5       <10^-7

13.氣體 gas：不受分子間相互作用力的束縛且能自由地占有任意空間的物質。注：在真空技術中，“氣體”一詞不嚴酷地應用于非可凝氣體和蒸汽。

14.分子數密度n，m-3 number density of molecules：在某瞬時，氣體中某點四周體積內的分子數，除以該體積。

15.平均自由程ι、λ，m mean free path：一個分子與其它氣體分子每延續二次碰撞走過的路程，叫自由程。相稱多的不同自由程的平均值，叫平均自由程。

16.碰撞率ψ collision rate：在給定的時間間隔內，一個分子（或其它規定粒子）相對于其它氣體分子（或其它規定粒子）活動，受到的平均碰撞次數，除以該時間。這個平均碰撞次數是應在充足多的分子數和充足長的時間間隔下取得。

17.體積碰撞率χ volume collision rate：在給準時間間隔內，在圍繞規定一點的空間范圍內氣體分子間的平均碰撞次數，除以該時間和該空間范圍體積。所取時間間隔和體積不應太小。

18.氣體量G quantity of gas：處于平衡狀況的理想氣體所占據的體積同其壓力的乘積。此值必須注明氣體溫度或換算成20℃時的數值。注：氣體量是指該量氣體所占體積內氣體內稟能量（或位能）的2/3。

19.氣體的擴散 diffusion of gas：氣體因為濃度梯度而在另一種介質中的活動。介質可以是另一種氣體（這種情況下的擴散稱之為互擴散）或者是可凝聚物質。

20.擴散系數D diffusion coefficient; diffusivity：通過單位面積的質量流率的絕對值同該單位面積的法向濃度梯度之比。

21.粘滯流 viscous flow：氣體分子的平均自由程遠小于導管最小截面尺寸的流態。因此，流動取決于氣體的粘滯性，粘滯流可以是層流或滯流

22.粘滯系數η viscous factor：在氣流速度梯度方向單位面積上的切向力與速度梯度之比。

23.吸附 sorption：固體或液體（吸附劑）對氣體或蒸汽（吸附質）的捕集征象。

24.外觀吸附 adsorption：氣體或蒸汽（吸附質）存留在固體或液體（吸附劑）外觀上的吸附征象。

25.物理吸附physisorption：因為物理作用的吸附征象。

26.化學吸附 chemisorption：因為化學作用的吸附征象。

27.吸取absorption：氣體或蒸汽（吸附質）擴散進入到固體或液體（吸附劑）內部的征象。

28.適應系數α accommodation factor：入射到某一外觀的粒子和該外觀現實交換的平均能量與粒子在該外觀上達到完全的熱平衡條件所應當交換的平均能量之比。

29.入射率υ impingement rate：在給準時間間隔內，入射到外觀的分子數，除以該時間和該外觀面積。

30.遷移 migration：分子在外觀上的移動。

31.解吸 desorption：被材料吸附的氣體或蒸汽的釋放征象。釋放可以是天然的，也可用物理方法加速。

32.去氣 degassing：氣體從材料中人為的解吸。

33.放氣 outgassing：氣體從材料中天然的解吸。

34.解吸或放氣或去氣速率qGU desorption or outgassing or degassing rate：在給準時間間隔內，從材料中解吸（或放氣或去氣）的氣體流量（或分子流率），除以該時間和該外觀面積。

35.蒸發率 evaporation rate：在給準時間間隔內從外觀上蒸發的分子數（或物質量或物質質量）除以該時間和該外觀面積。

36.粗抽時間roughing time：前級真空泵或前級真空抽氣裝配從大氣壓抽至基礎壓力或抽至在較低壓力下工作的真空泵的起動壓力所必要的時間。

37.抽氣時間pump-down time：將真空體系的壓力從大氣壓降低到肯定壓力，例如降到基礎壓力所必要的時間

38.真空密封圈ring gasket：一種環形真空密封件。注：有各種不同截面外形的真空密封圈，例如：“O”形密封圈 ，“V” 形密封圈，“ L” 形密封圈和其它型材的密封件（金屬型材密封件）。

39.觀察窗viewing window：作為觀察裝配運轉情況的一種真空窗。注：在某些應用場合必須對觀察窗的光學性能提出肯定的要求。

40.充氣閥charge valve：把氣體充入真空體系的閥。

41.進氣閥gas admittance valve：將氣體放入到真空體系中的一種真空控制閥。

42.真空截止閥break valve：用來使真空體系的兩個部分相隔離的一種真空閥。通常它不能當作控制閥使用。

43.前級真空閥backing valve：在前級真空管路中用來使前級真空泵和與其相連的真空泵隔離的一種真空截止閥。

44.旁通閥 by-pass valve：在旁通管路中的一種真空截止閥。

45.電磁閥electromagnetically operated valve：用電磁力為動力開閉的閥。

46.擋板閥baffle valve：閥板沿閥座軸向移動開閉的閥。

47.翻板閥flap valve：閥板翻轉一個角度開閉的閥。

48.插板閥gate valve：閥板沿閥座徑向移動開閉的閥。

49.蝶閥butterfly valve：閥板繞固定軸在閥口中轉動開閉的閥。

50.前級泵：用于維持某一真空泵前級壓強低于其臨界前級壓強的真空泵。如羅茨泵前配置的旋片或滑閥泵就是前級泵。

51.粗抽泵：從大氣壓下開始抽氣，并將體系壓力抽到另一真空泵開始工作的真空泵。如真空鍍膜機中的滑閥泵，就是粗油泵。

52.維持泵：在真空體系中，氣量很小時，不能有用地行使前級泵。為此配置一種容量較小的輔助泵來維持主泵工作，此泵叫維持泵。如擴散泵出口處配一臺小型旋片泵，就是維持泵。

53.真空鍍膜 vacuum coating

   在處于真空下的基片制取膜層的一種方法。

54.基片 substrate

   膜層承受體。

55.試驗基片 testing substrate

   在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結束后用作測量和（或）試驗的基片。

56.鍍膜材料 coating material

用來制取膜層的原材料。

57.濺射材料 sputtering material

在真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。

58.膜層材料（膜層材質） film material

組成膜層的材料。

59.濺射速率 sputtering rate
   在給準時間間隔內，濺射出來的材料量，除以該時間間隔。

60.沉積速率 deposition rate

   在給準時間間隔內，沉積在基片上的材料量，除以該時間間隔和基片外觀積。

61.鍍膜角度 coating angle

   入射到基片上的粒子方向與被鍍外觀法線之間的夾角。

62.真空濺射 vacuum sputtering

   在真空中，惰性氣體離子從靶外觀上轟擊出原子（分子）或原子團的過程。

63.離子束濺射  ion beam sputtering

   行使特別的離子源獲得的離子束使靶的濺射。

64.輝光放電離子清洗 glow discharge cleaning

   行使輝光放電原理，使基片以及膜層外觀經受氣體放電轟擊的清洗過程。

65.物理氣相沉積 PVD physical vapor deposition

   在真空狀況下，鍍膜材料經蒸發或濺射等物理方法氣化，沉積到基片上的一種制取膜層的方法。

66.化學氣相沉積 CVD chemical vapor deposition

   肯定化學配比的反應氣體，在特定激活條件下（通常是肯定高的溫度），通過氣相化學反應生成新的膜層材料沉積到基片上制取膜層的一種方法。

67.磁控濺射 magnetron sputtering

   借助于靶外觀上形成的正交電磁場，把二次電子約束在靶外觀特定區域，來加強電離服從，增長離子密度和能量，因而可在低電壓，大電流下取得很高濺射速率。

68.等離子體化學氣相沉積：PCVD  plasma chemistry vapour deposition

   通過放電產生的等離子體促進氣相化學反應，在低溫下，在基片上制取膜層的一種方法。

69.空心陰極離子鍍  HCD hollow cathode discharge deposition

   行使空心陰極發射大量的電子束，使坩堝內鍍膜材料蒸發并電離，在基片上的負偏壓作用下，離子具有較大能量，沉積在基片外觀上的一種鍍膜方法。

70.電弧離子鍍 arc discharge deposition

   以鍍膜材料作為靶極，借助于觸發裝配，使靶外觀產生弧光放電，鍍膜材料在電弧作用下，產生無熔池蒸發并沉積在基片上的一種鍍膜方法。

71.靶 target

   用粒子轟擊的面。

72.擋板 shutter

用來在時間上和（或）空間上限定鍍膜并借此能達到肯定膜厚分布的裝配，擋板可以是固定的也可是運動的。