
HZO-從基底上除去珍愛性涂層的選定部分
擇要:從基底,例如電子器件上選擇性除去一部分珍愛性涂層的方法包括從該基底上除去部分珍愛性涂層。除去工藝可包括在特定的位置處切割珍愛性涂層,然后從基底中除去所需部分的珍愛性涂層,或者它可包括燒蝕將要被除去的部分珍愛性涂層。還公開了涂布和除去體系。 |
申請人: HZO股份有限公司 |
地址: 美國猶他 |
發明(設計)人: D·J·阿瑟爾 T·C·蔡爾德 V·K·卡撒甘尼 C·L·露斯 B·L·史蒂文斯 M·E·索倫森 |
主分類號: B05D5/12(2006.01)I |
分類號: B05D5/12(2006.01)I |
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法律狀況
2015-01-14 | 實質審查的生效IPC(主分類):B05D 5/12申請日:20140107 |
2014-12-24 | 公開 |
注:本法律狀況信息僅供參考,即時正確的法律狀況信息須到國家知識產權局辦理專利登記簿副本。
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其他信息
主權項 | 選擇性施涂珍愛性涂層到基底上的方法,該方法包括:施涂珍愛性涂層到基底上;和從該基底的至少一個選擇的組件或特性中選擇性除去至少一個選定部分的珍愛性涂層,以通過珍愛性涂層暴露至少一個選擇的組件或特性。 |
公開號 | 104245157A |
公開日 | 2014-12-24 |
專利代理機構 | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 |
代理人 | 陳季壯 |
頒證日 | |
優先權 | 2013.01.08 US 61/750,257;2013.01.08 US 61/750,254 |
國際申請 | 2014-01-07 PCT/US2014/010510 |
國際宣布 | 2014-07-17 WO2014/110039 EN |
進入國家日期 | 2014.03.04 |

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