佛山思博睿科技-基于低壓等離子化學氣相沉積制備納米多層膜的方法

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2022-08-08 14:01:09

擇要：本發明公開一種可正確控制每層厚度、以及均勻度，增長膜層與基體粘合力的低壓等離子化學氣相沉積的方法，本方法步驟如下：a.往反應腔內放置基體工件，對反應腔進行抽真空；b.抽真空后向反應腔內注入氧氣，開啟微波源，微波經ECR微波電子回旋共振后，向反應腔內提供微波電離氧分子，對基體進行外觀活性化處理及潔凈化處理；交替電離TiCl₄氣體和氧氣的混合氣體，以及六甲基二硅氧烷氣體和氧氣的混合氣體，在工件外觀交替沉積多層TiO₂和SiO₂薄膜。
申請人：佛山市思博睿科技有限公司
地址： 528226 廣東省佛山市南海區獅山鎮羅村朗沙廣東新光源產業基地核心園區內C區7座第五層(1-6軸)廠房
發明(設計)人：梁磊
主分類號： C23C16/455(2006.01)I
分類號： C23C16/455(2006.01)I C23C16/40(2006.01)I

擇要：本發明公開一種可正確控制每層厚度、以及均勻度，增長膜層與基體粘合力的低壓等離子化學氣相沉積的方法，本方法步驟如下：a.往反應腔內放置基體工件，對反應腔進行抽真空；b.抽真空后向反應腔內注入氧氣，開啟微波源，微波經ECR微波電子回旋共振后，向反應腔內提供微波電離氧分子，對基體進行外觀活性化處理及潔凈化處理；交替電離TiCl₄氣體和氧氣的混合氣體，以及六甲基二硅氧烷氣體和氧氣的混合氣體，在工件外觀交替沉積多層TiO₂和SiO₂薄膜。

申請人： 佛山市思博睿科技有限公司

地址： 528226 廣東省佛山市南海區獅山鎮羅村朗沙廣東新光源產業基地核心園區內C區7座第五層(1-6軸)廠房

發明(設計)人： 梁磊

主分類號： C23C16/455(2006.01)I

分類號： C23C16/455(2006.01)I C23C16/40(2006.01)I