行業新聞
News
PECVD生長二氧化硅薄膜致密性改善研究
WaterOff
2022-08-10 09:22:18
二氧化硅薄膜具有硬度大、防腐蝕性、耐潮濕性和介電性能強等優點，因此二氧化硅薄膜在半導體行業中可以用作器件的保護層、鈍化層、隔離層等。
PECVD即等離子體增強化學的氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。由于PECVD可以在低溫條件下較快生長二氧化硅，所以用PECVD生長二氧化硅薄膜被廣泛應用于半導體光電子器件、集成電路等制造工藝中，而二氧化硅薄膜的致密性的好壞就直接影響著器件的性能。
本次實驗為利用BOE溶液測試改變PECVD工藝參數對二氧化硅薄膜致密性的影響。
實驗
1、實驗設備：牛津Oxford PlasmaPro®100 PECVD。
2、實驗襯底：硅片。
3、實驗步驟：
（1）用PECVD設備在硅片上生長不同條件的二氧化硅薄膜；
（2）用橢偏儀分別測量各個條件生長的二氧化硅薄膜厚度并記錄；
（3）用BOE溶液對所有實驗片進行腐蝕；
（4）用橢偏儀分別測量各個條件生長的二氧化硅薄膜厚度并記錄；
（5）整理所得數據。
數據整理
1、不同壓力對二氧化硅薄膜的影響
由以下圖表可看出隨著壓力的增高，對應反應氣體濃度增加，所以二氧化硅沉積速率變快；由于較低壓力下，機械泵可迅速將反應室中的氮氣和氫氣抽走，使生成的二氧化硅薄膜中氮氫含量更低，致密性更好，從表格中可看出致密性在600~800mt條件下為最佳。
沉積速率曲線 腐蝕速率曲線
2、不同射頻功率對二氧化硅薄膜的影響
由以下圖表可看出隨著射頻功率的增高，反應氣體中活性離子能量增加，硅離子和氧離子結合更快，所以二氧化硅沉積速率變快；同時，生成的二氧化硅薄膜中氮氫含量更低，致密性更好，從圖表中可看出致密性隨射頻功率提高而變好。
沉積速率曲線 腐蝕速率曲線
3、不同襯底溫度對二氧化硅薄膜的影響
由以下圖表可看出隨著溫度的增高，等壓下對應反應氣體濃度減小，所以二氧化硅沉積速率變慢；由于溫度較高時，反應物更容易吸附，而且薄膜中含有的H更易參與反應釋放，使生成的二氧化硅薄膜中氮氫含量更低且薄膜內缺陷較少，致密性更好，從圖表中可看出致密性隨襯底溫度提高而變好。
沉積速率曲線 腐蝕速率曲線
結語
以上實驗采用BOE溶液腐蝕的方式，研究了壓力、射頻功率、襯底溫度對PECVD生長的二氧化硅薄膜致密性的影響，得出了三組參數對致密性的影響趨勢，改善了二氧化硅薄膜的致密性。
隨著半導體行業的發展，對器件性能的要求逐步提高，致密性好的二氧化硅可以提高半導體器件的性能，所以制備高致密性的二氧化硅薄膜勢在必行。
推薦資訊
消費類電子產品的防水透氣膜與防水透音膜有什么區別
隨著電子產品防水需求的不斷提高，從原先的 IP54到現在的IP67IP68等級！市場上出現了防水透氣膜和防水透音膜，目前這兩種不同的材料應用被搞混了，今天便與大家一起討論防水透氣
WaterOff
2022-08-10
暴雨天激增，聊一聊IP68防水手機的意義
最近各地降雨量激增，所以手機就難免會沾點水，作為生活中不可或缺的電子產品，防水已經成為一個十分重要重要功能，而且個人對目前的IP68手機市場是相當不滿意的。為什么？太貴
WaterOff
2022-08-10
材料學院鐘敏霖教授團隊在超疏水表面結冰融冰基礎現象研究方面取得重要進展
自然界中荷葉具有出淤泥而不染的典型不沾水特性（學術上稱為Cassie-Baxter狀態），具有自清潔、抗結冰、減阻、抗腐蝕等廣泛應用價值，而玫瑰花瓣則具有水滴高粘附特性（稱為Wenze
WaterOff
2022-08-10
產品推薦
派瑞林各種粉材真空鍍膜技術加工 納米涂層防水處理
派瑞林各種粉材真空鍍膜技術加工 納米涂層防水處理
高阻隔強絕緣防汗液涂層藍牙耳機3C電子產品IPX7納米材料
高阻隔強絕緣防汗液涂層藍牙耳機3C電子產品IPX7納米材料
耐磨超疏水納米材料 絕緣子架空導線電纜橋梁防覆冰涂層
耐磨超疏水納米材料 絕緣子架空導線電纜橋梁防覆冰涂層
真空等離子氣相沉積技術納米防水鍍膜加工 產能5萬片天
真空等離子氣相沉積技術納米防水鍍膜加工 產能5萬片天
親水疏油自潔凈納米涂層 易去污 無機防紫外高硬度材料
親水疏油自潔凈納米涂層 易去污 無機防紫外高硬度材料
臺灣超親水防霧塑料專用 附著力好 透過率高 持久有效
臺灣超親水防霧塑料專用 附著力好 透過率高 持久有效