
耐高溫抗紫外薄膜——Parylene F |1785-64-4|
20世紀60年代,美國聯合碳化物公司推出了Parylene系列高分子敷型涂層材料,由于優異的阻隔性能,Parylene材料在防潮、防霉、防鹽霧的三防涂層領域得到了廣泛的應用。根據分子結構的不同,Parylene材料分為Parylene N、C、D、HT和F幾種類型。本文將對系列中具有耐高溫和抗紫外性能的Parylene F進行主要介紹。
Parylene F的結構特征
在Parylene家族中,Parylene N、C和D均為氯代的聚合物,氟代Parylene是該系列聚合物的新一代衍生物,包括苯環取代——Parylene F和亞甲基取代——Parylene HT兩類。隨著人們對防水材料要求的提高,傳統的Parylene N、C、D在耐高溫、抗紫外方面已經遠遠滿足不了市場的要求,而氟原子的引入能夠較好地改善薄膜的電學性能、熱穩定性和抗紫外性能。派瑞林HT由于其生產工藝的限制,制備效率很低,而Parylene F則相對來說更具有商業價值,因此,越來越受到人們的關注。
Parylene F的成膜原理
與其它Parylene原料類似,Parylene F薄膜的制備需在專用的真空涂覆設備上進行,設備主要由升華爐、裂解爐、沉積腔室、冷阱和真空系統幾部分組成。成膜過程也包括如下3個步驟:
(1)固體環二體在一定溫度下升華為氣態環二體;
(2)在較高溫度下氣態環二體裂解為活性單體自由基;
(3)單體自由基進入沉積腔室后,在基體表面沉積聚合形成均勻無針孔并與物體形狀一致的Parylene F薄膜。
Parylene F薄膜的制備工藝
趙宗峰等[1]采用PDS2010涂層爐,以石英玻璃板為基體,通過真空化學氣相沉積方法制備了Parylene F薄膜。在制備過程中,基體溫度、基體表面狀態、升華溫度、裂解溫度、沉積室壓力等因素對膜性能和質量都有一定影響:沉積室本底壓力高雜質氣體含量高,自由基容易失去活性,形成短鏈聚合物的堆積;升華溫度過高會增加氣體進入沉積腔室的壓力差,使得薄膜沉積速率過快成膜質量差;裂解溫度也會影響薄膜質量,過高會造成環二體原料的過裂解,過低則會導致環二體裂解不完全。
最終通過實驗得出,最高升華溫度為170℃,裂解溫度為690℃,沉積腔室本底真空10mT,沉積壓力為32mT。所得Parylene F涂層連續、均勻、致密,具有高的介電強度和低的介電常數且熱穩定性好,可以作為各種復雜形狀電子器件的保護膜使用。而且真空化學氣相沉積過程無須使用溶劑,不會產生很大的環境污染。
Parylene F在耐高溫、抗紫外等方面具有較強的優勢,很好地彌補了傳統Parylene材料的缺陷。此外,Parylene F也具有傳統Parylene材料的防水和電絕緣等優良性能,可以應用到醫療器械、汽車、馬達開關、可穿戴設備以及具有高附加值的LED上,是一種應用前景非常廣泛的材料。

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