1一樣平常術語

1.1真空鍍膜vacuum coating：在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。
1.2基片substrate：膜層承受體。
1.3試驗基片testing substrate：在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結束后用作測量和（或）試驗的基片。
1.4鍍膜材料coating material：用來制取膜層的原材料。
1.5蒸發材料evaporation material：在真空蒸發中用來蒸發的鍍膜材料。
1.6濺射材料sputtering material：有真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。
1.7膜層材料(膜層材質)film material：組成膜層的材料。
1.8蒸發速率evaporation rate：在給準時間間隔內,蒸發出來的材料量,除以該時間間隔
1.9濺射速率sputtering rate：在給準時間間隔內,濺射出來的材料量,除以該時間間隔。
1.10沉積速率deposition rate：在給準時間間隔內,沉積在基片上的材料量,除以該時間間隔和基片外觀積。
1.11鍍膜角度coating angle：入射到基片上的粒子方向與被鍍外觀法線之間的夾角。

2工藝

2.1真空蒸膜vacuum evaporation coating：使鍍膜材料蒸發的真空鍍膜過程。
2.1.1同時蒸發simultaneous evaporation：用數個蒸發器把各種蒸發材料同時蒸鍍到基片上的真空蒸發。
2.1.2蒸發場蒸發evaporation field evaporation：由蒸發場同時蒸發的材料到基片上進行蒸鍍的真空蒸發(此工藝應用于大面積蒸發以獲得到理想的膜厚分布)。
2.1.3反應性真空蒸發reactive vacuum evaporation：通過與氣體反應獲得理想化學成分的膜層材料的真空蒸發。
2.1.4蒸發器中的反應性真空蒸發reactive vacuum evaporation in evaporator：與蒸發器中各種蒸發材料反應,而獲得理想化學成分膜層材料的真空蒸發。
2.1.5直接加熱的蒸發direct heating evaporation：蒸發材料蒸發所必須的熱量是對蒸發材料(在坩堝中或不用坩堝)自己加熱的蒸發。
2.1.6感應加熱蒸發induced heating evaporation：蒸發材料通過感應渦流加熱的蒸發。
2.1.7電子束蒸發electron beam evaporation：通過電子轟擊使蒸發材料加熱的蒸發。
2.1.8激光束蒸發laser beam evaporation：通過激光束加熱蒸發材料的蒸發。
2.1.9間接加熱的蒸發indirect heating evaporation：在加熱裝配(例如小舟形蒸發器,坩堝,燈絲,加熱板,加熱棒,螺旋線圈等)中使蒸發材料獲得蒸發所必須的熱量并通過熱傳導或熱輻射方式傳遞給蒸發材料的蒸發。
2.1.10閃蒸flash evaportion：將極少量的蒸發材料間斷地做瞬時的蒸發。
2.2真空濺射vacuum sputtering：在真空中，惰性氣體離子從靶外觀上轟擊出原子（分子）或原子團的過程。 
2.2.1反應性真空濺射 reactive vacuum sputtering：通過與氣體的反應獲得理想化學成分的膜層材料的真空濺射。
2.2.2 偏壓濺射bias sputtering：在濺射過程中，將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。
2.2.3 直流二級濺射direct current diode sputtering：通過二個電極間的直流電壓，使氣體矜持放電并把靶作為陰極的濺射。
2.2.4非對稱性交流濺射asymmtric alternate current sputtering：通過二個電極間的非對稱性交流電壓，使氣體矜持放電并把靶作為吸取較大正離子流的電極。
2.2.5高頻二極濺射high frequency diode sputtering：通過二個電極間的高頻電壓獲得高頻放電而使靶極獲得負電位的濺射。
2.2.6熱陰極直流濺射（三極型濺射）hot cathode direct current sputtering：借助于熱陰極和陽極獲得非矜持氣體放電，氣體放電所產生的離子，由在陽極和陰極（靶）之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射。
2.2.7 熱陰極高頻濺射（三極型濺射）hot cathode high frequency sputtering：借助于熱陰極和陽極獲得非矜持氣體放電，氣體放電產生的離子，在靶外觀負電位的作用下加速而轟擊靶的濺射。
2.2.8離子束濺射ion beam sputtering：行使特別的離子源獲得的離子束使靶的濺射。 
2.2.9輝光放電清洗glow discharge cleaning：行使輝光放電原理，使基片以及膜層外觀經受氣體放電轟擊的清洗過程。
2.3物理氣相沉積；PVD physical vapor deposition：在真空狀況下，鍍膜材料經蒸發或濺射等物理方法氣化，沉積到基片上的一種制取膜層的方法。
2.4化學氣相沉積；CVD chemical vapor deposition：肯定化學配比的反應氣體，在特定激活條件下（通常是肯定高的溫度），通過氣相化學反應生成新的膜層材料沉積到基片上制取膜層的一種方法。
2.5磁控濺射magnetron sputtering：借助于靶外觀上形成的正交電磁場，把二次電子約束在靶外觀特定區域，來加強電離服從，增長離子密度和能量，因而可在低電壓，大電流下取得很高濺射速率。
2.6 等離子體化學氣相沉積；PCVD plasma chemistry vapor deposition：通過放電產生的等離子體促進氣相化學反應，在低溫下，在基片上制取膜層的一種方法。
2.7空心陰極離子鍍HCD hollow cathode discharge deposition： 行使空心陰極發射大量的電子束，使坩堝內鍍膜材料蒸發并電離，在基片上的負偏壓作用下，離子具有較大能量，沉積在基片外觀上的一種鍍膜方法。
2.8電弧離子鍍arc discharge deposition：以鍍膜材料作為靶極，借助于觸發裝配，使靶外觀產生弧光放電，鍍膜材料在電弧作用下，產生無熔池蒸發并沉積在基片上的一種鍍膜方法。

3專用部件

3.1鍍膜室coating chamber：真空鍍膜設備中實施現實鍍膜過程的部件
3.2蒸發器裝配evaporator device：真空鍍膜設備中包括蒸發器和悉數為其工作所必要的裝配(例如電能供應、供料和冷卻裝配等)在內的部件。
3.3蒸發器evaporator：蒸發直接在其內進行蒸發的裝配,例如小舟形蒸發器,坩堝,燈絲,加熱板,加熱棒,螺旋線圈等等,需要時還包括蒸發材料自己。
3.4直接加熱式蒸發器evaporator by direct heat：蒸發材料自己被加熱的蒸發器。
3.5間接加熱式蒸發器evaporator by indirect heat：蒸發材料通過熱傳導或熱輻射被加熱的蒸發器。
3.6蒸發場evaporation field：由數個排列的蒸發器加熱雷同蒸發材料形成的場。
3.7濺射裝配sputtering device：包括靶和濺射所需要的輔助裝配(例如供電裝配,氣體導入裝配等)在內的真空濺射設備的部件。
3.8靶target：用粒子轟擊的面。本標準中靶的意義就是濺射裝配中由濺射材料所組成的電極。
3.9擋板shutter：用來在時間上和(或)空間上限定鍍膜并借此能達到肯定膜厚分布的裝配。擋板可以是固定的也可以是運動的。 
3.10時控擋板timing shutter：在時間上能用來限定鍍膜,因此從鍍膜的開始、停止到結束都能按規準時刻進行的裝配。
3.11掩膜mask：用來隱瞞部分基片,在空間上能限定鍍膜的裝配。
3.12基片支架substrate holder：可直接夾持基片的裝配,例如夾持裝配,框架和類似的夾持器具。
3.13夾緊裝配clamp：在鍍膜設備中用或不用基片支架支承一個基片或幾個基片的裝配,例如夾盤,夾鼓,球形夾罩,夾籃等。夾緊裝配可以是固定的或運動的(旋轉架,行星齒輪系等)。
3.14換向裝配reversing device：在真空鍍膜設備中,不打開設備能將基片、試驗玻璃或掩膜放到理想位置上的裝配(基片換向器,試驗玻璃換向器,掩膜換向器)。
3.15基片加熱裝配substrate heating device：在真空鍍膜設備中,通過加熱能使一個基片或幾個基片達到理想溫度的裝配。
3.16基片冷卻裝配substrate colding device：在真空鍍膜設備中,通過冷卻能使一個基片或幾個基片達到理想溫度的裝配。

4真空鍍膜設備

4.1真空鍍膜設備vacuum coating plant：在真空狀況下制取膜層的設備。
4.1.1真空蒸發鍍膜設備vacuum evaporation coating plant：借助于蒸發進行真空鍍膜的設備。
4.1.2真空濺射鍍膜設備vacuum sputtering coating plant：借助于真空濺射進行真空鍍膜的設備。
4.2延續鍍膜設備continuous coating plant：被鍍膜物件（單件或帶材）延續地從大氣壓經過壓力梯段進入到一個或數個鍍膜室，再經過響應的壓力梯段，繼承脫離設備的延續式鍍膜設備。
4.3半延續鍍膜設備semi- continuous coating plant：被鍍物件通過閘門送進鍍膜室并從鍍膜室掏出的真空鍍膜設備。

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