《真空鍍膜技術》專題已經來到了最后一期，感謝各位的支撐！你們的支撐是我們堅持的動力。上期我們說的是真空鍍膜，這期我們就來說說，膜厚的計算及測量。

膜厚的計算

在真空中氣體分子的平均自由程為：L = 0.65 / p (cm)，其中p的單位是Pa。當p = 1.3×10-3 Pa時，L≈500 cm。L>>基片到蒸發源的距離，分子作直線活動。

設蒸發源為點蒸發源，單位時間內通過任何方向一立體角dω的質量為：

蒸發物質到達任一方向面積元ds質量為：

設蒸發物的密度為ρ，單位時間淀積在ds上的膜厚為t，則：

比較以上兩式可得：

干涉條紋間距Δ0，條紋移動Δ，臺階高為

• 石英晶體振蕩器法

廣泛應用于薄膜淀積過程中厚度的實時測量，重要應用于淀積速度，厚度的監測，還可以反過來（與電子技術結合）控制物質蒸發或濺射的速率，從而實現對于淀積過程的主動控制。

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