等離子體加強化學氣相沉積（PECVD）技術是一種薄膜制備的新技術，據賢集網小編了解，其原理是借助微波或射頻等使含有薄膜組成的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，特別很是容易發生反應，從而在基片上沉積出所期望的薄膜。為使化學反應在較低溫度下進行，行使等離子體的活性來促進反應。等離子體加強化學氣相沉積的制備工藝的設備組成原理圖：

　　采用等離子體加強化學氣相沉積（PECVD）技術制備薄膜材料時，薄膜的生長可分為以下過程：

　　a、初級反應：在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發生反應，反應氣體發生分解，形成離子和活性基團的混合物；

　　b、次級反應：活性基團向薄膜生長外觀和管壁擴散輸運，同時各反應物間發生反應；

　　c、終極反應：初級與次級反應產物被吸附并與外觀發生反應，同時有氣相分子物放出。

　　等離子體加強化學氣相沉積（PECVD）的重要好處是沉積溫度低，對基體的結構和物理性子影響小；膜的厚度及成分均勻性好；膜組織致密、針孔少；膜層的附著力強；應用范圍廣，可制備各種金屬膜、非晶無機膜和有機膜。盡管有很多好處，但仍存在不足，一是經濟成本，二是技術成熟度。在技術上，等離子體加強化學氣相沉積無論是反應裝配照舊工藝都有待改動和完美。

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