佛山思博睿科技一種可進步膜層純度的等離子法沉積膜層的裝配

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2022-08-08 14:00:22

擇要：本發明公開一種膜層純度高，可正確控制膜層厚度的等離子法沉積膜層的裝配，包括有反應室、抽氣設備、氣體輸送體系和脈沖微波發生器，抽氣設備和氣體輸送體系與反應室連通，抽氣設備設于反應室的下方，氣體輸送體系設于反應室上方，脈沖微波發生器向反應室供給產生的微波，在反應室下方的出氣口于抽氣設備的一側設有等離子點火觸頭，采用本技術方案后，與現有技術相比，本低壓等離子體化學氣相沉積制得納米薄膜的裝配具有以下好處：1)膜層純度高，不含多余無用的反應物(即污染物)，膜層粘附性得到進步；2)膜層厚度控制正確。
申請人：佛山市思博睿科技有限公司
地址： 528226 廣東省佛山市南海區獅山鎮羅村朗沙廣東新光源產業基地核心園區內C區7座第五層(1-6軸)廠房
發明(設計)人：梁磊
主分類號： C23C16/513(2006.01)I
分類號： C23C16/513(2006.01)I

擇要：本發明公開一種膜層純度高，可正確控制膜層厚度的等離子法沉積膜層的裝配，包括有反應室、抽氣設備、氣體輸送體系和脈沖微波發生器，抽氣設備和氣體輸送體系與反應室連通，抽氣設備設于反應室的下方，氣體輸送體系設于反應室上方，脈沖微波發生器向反應室供給產生的微波，在反應室下方的出氣口于抽氣設備的一側設有等離子點火觸頭，采用本技術方案后，與現有技術相比，本低壓等離子體化學氣相沉積制得納米薄膜的裝配具有以下好處：1)膜層純度高，不含多余無用的反應物(即污染物)，膜層粘附性得到進步；2)膜層厚度控制正確。

申請人： 佛山市思博睿科技有限公司

地址： 528226 廣東省佛山市南海區獅山鎮羅村朗沙廣東新光源產業基地核心園區內C區7座第五層(1-6軸)廠房

發明(設計)人： 梁磊

主分類號： C23C16/513(2006.01)I

分類號： C23C16/513(2006.01)I