上海稷以科技-平板電極結(jié)構(gòu)和等離子體沉積設(shè)備

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2022-08-08 14:03:27

摘要：本實(shí)用新型涉及等離子處理設(shè)備領(lǐng)域，公開了一種平板電極結(jié)構(gòu)和應(yīng)用了該種平板電極結(jié)構(gòu)的等離子體沉積設(shè)備，平板電極結(jié)構(gòu)包括：至少一個(gè)陰極和一個(gè)陽極，且這些陰極和陽極之間依次交替設(shè)置；其中，至少有一個(gè)陽極內(nèi)形成有第一送氣通道，且在陽極朝向陰極的一面的中部開有第一出氣口，在陽極的邊緣開有第一進(jìn)氣口；氣體從第一進(jìn)氣口進(jìn)入第一送氣通道，從第一出氣口排出，形成等離子體。本實(shí)用新型能夠改善等離子體沉積薄膜的厚度均勻性。
申請(qǐng)人：上海稷以科技有限公司
地址： 200241 上海市閔行區(qū)東川路555號(hào)戊樓4026室
發(fā)明(設(shè)計(jì))人：唐玄玄王俊
主分類號(hào)： H05H1/34(2006.01)I
分類號(hào)： H05H1/34(2006.01)I C23C16/50(2006.01)I

摘要：本實(shí)用新型涉及等離子處理設(shè)備領(lǐng)域，公開了一種平板電極結(jié)構(gòu)和應(yīng)用了該種平板電極結(jié)構(gòu)的等離子體沉積設(shè)備，平板電極結(jié)構(gòu)包括：至少一個(gè)陰極和一個(gè)陽極，且這些陰極和陽極之間依次交替設(shè)置；其中，至少有一個(gè)陽極內(nèi)形成有第一送氣通道，且在陽極朝向陰極的一面的中部開有第一出氣口，在陽極的邊緣開有第一進(jìn)氣口；氣體從第一進(jìn)氣口進(jìn)入第一送氣通道，從第一出氣口排出，形成等離子體。本實(shí)用新型能夠改善等離子體沉積薄膜的厚度均勻性。

申請(qǐng)人： 上海稷以科技有限公司

地址： 200241 上海市閔行區(qū)東川路555號(hào)戊樓4026室

發(fā)明(設(shè)計(jì))人： 唐玄玄王俊

主分類號(hào)： H05H1/34(2006.01)I

分類號(hào)： H05H1/34(2006.01)I C23C16/50(2006.01)I

法律狀態(tài)

2018-01-30	授權(quán)

注：本法律狀態(tài)信息僅供參考，即時(shí)準(zhǔn)確的法律狀態(tài)信息須到國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局辦理專利登記簿副本。

其他信息

主權(quán)項(xiàng)	一種平板電極結(jié)構(gòu)，用于等離子體沉積設(shè)備，包括：至少一個(gè)陰極(2)和一個(gè)陽極(1)，且這些陰極(2)和陽極(1)之間依次交替設(shè)置；所述平板電極結(jié)構(gòu)還包括電極支架，用于支撐所述陰極(2)和所述陽極(1)；其特征在于：至少有一個(gè)陽極(1)內(nèi)形成有第一送氣通道，且在所述陽極(1)朝向陰極(2)的一面的中部開有第一出氣口(12)，在所述陽極(1)的邊緣開有第一進(jìn)氣口(11)；氣體從所述第一進(jìn)氣口(11)進(jìn)入所述第一送氣通道，從所述第一出氣口(12)排出，形成等離子體。

公開號(hào)	206948696U

公開日	2018-01-30

專利代理機(jī)構(gòu)	上海立群專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31291

代理人	侯莉何靜生

頒證日

優(yōu)先權(quán)

國際申請(qǐng)

國際公布

進(jìn)入國家日期