摘要： 本實(shí)用新型涉及真空設(shè)備領(lǐng)域，公開了一種表面處理系統(tǒng)和腔體結(jié)構(gòu)，腔體結(jié)構(gòu)包括：料盒、射頻電極和接地電極；表面處理系統(tǒng)包括設(shè)置有進(jìn)氣模塊和抽氣口的真空等離子腔體

摘要： 本實(shí)用新型涉及等離子處理設(shè)備領(lǐng)域，公開了一種平板電極結(jié)構(gòu)和應(yīng)用了該種平板電極結(jié)構(gòu)的等離子體沉積設(shè)備，平板電極結(jié)構(gòu)包括：至少一個(gè)陰極和一個(gè)陽(yáng)極，且這些陰極和陽(yáng)

摘要： 本實(shí)用新型涉及真空等離子體設(shè)備領(lǐng)域，公開了一種導(dǎo)氣裝置、真空腔和真空等離子體設(shè)備，導(dǎo)氣裝置包括導(dǎo)氣桿，導(dǎo)氣桿設(shè)置于真空等離子體設(shè)備的真空腔內(nèi)，導(dǎo)氣桿的外殼圍

摘要： 本發(fā)明涉及真空設(shè)備領(lǐng)域，公開了一種等離子體表面處理設(shè)備和等離子體設(shè)備腔體結(jié)構(gòu)，等離子體設(shè)備腔體結(jié)構(gòu)包括：料盒、射頻電極和接地電極；等離子體表面處理設(shè)備包括設(shè)

摘要： 本發(fā)明涉及真空等離子體設(shè)備領(lǐng)域，公開了一種導(dǎo)氣桿、真空腔和真空等離子體設(shè)備，導(dǎo)氣桿設(shè)置于真空等離子體設(shè)備的真空腔內(nèi)，其外殼圍合形成中空腔體，端部設(shè)置有氣體入

摘要： 本發(fā)明提供一種在物體表面形成保護(hù)層的方法，包括：將所述物體的至少一部分表面暴露于等離子體中，形成所述等離子體的氣體至少包括由化學(xué)式(I)表示的化合物，其中，R1、

擇要： 本發(fā)明公開一種可正確控制每層厚度、以及均勻度，增長(zhǎng)膜層與基體粘合力的低壓等離子化學(xué)氣相沉積的方法，本方法步驟如下：a.往反應(yīng)腔內(nèi)放置基體工件，對(duì)反應(yīng)腔進(jìn)行抽真

擇要： 本發(fā)明提供了一種基于低壓等離子化學(xué)氣相沉積制備納米多層膜的裝配，包括：用于放置基體工件的真空的反應(yīng)腔；向所述反應(yīng)腔內(nèi)持續(xù)供應(yīng)氧氣的氧氣輸送體系；向所述 反應(yīng)

擇要： 本發(fā)明公開一種膜層純度高，可正確控制膜層厚度的等離子法沉積膜層的裝配，包括有反應(yīng)室、抽氣設(shè)備、氣體輸送體系和脈沖微波發(fā)生器，抽氣設(shè)備和氣體輸送體系與反應(yīng)室連

擇要： 本發(fā)明公開一種無(wú)論多路氣路如何切換，都可以保證流量器流出氣量穩(wěn)固的真空反應(yīng)體系，包括有多條主氣路和真空反應(yīng)腔，每條主氣路與真空反應(yīng)腔連接，在主氣路上沿供氣方